FQB5N50CTM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
NOVA-Teilenummer:
312-2275118-FQB5N50CTM
Hersteller-Teile-Nr:
FQB5N50CTM
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 500 V 5A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

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KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerFairchild Semiconductor
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten D²PAK (TO-263)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieQFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)±30V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)500 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 625 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 73W (Tc)
Andere Namen2156-FQB5N50CTM
FAIFSCFQB5N50CTM

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