Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 750 V 66A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-247-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | UnitedSiC | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-3 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 66A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 12V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 40A, 12V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 37.8 nC @ 15 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-247-3 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 750 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1400 pF @ 400 V | |
Verlustleistung (max.) | 306W (Tc) | |
Andere Namen | 2312-UJ4C075023K3S |
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.