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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-SO | |
Basisproduktnummer | IRF7341 | |
Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Serie | HEXFET® | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.1A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5.1A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V | |
FET-Funktion | Standard | |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 780pF @ 25V | |
Leistung max | 2.4W | |
Andere Namen | 448-IRF7341GTRPBFTR SP001563394 448-IRF7341GTRPBFCT IRF7341GTRPBF-ND 448-IRF7341GTRPBFDKR |
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