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Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
Hersteller | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | 14-DIP | |
Basisproduktnummer | VQ1001 | |
Paket/Koffer | - | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 830mA | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 200mA, 5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - | |
FET-Funktion | Logic Level Gate | |
FET-Typ | 4 N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 110pF @ 15V | |
Leistung max | 2W |
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