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Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TSOT-23 | |
Basisproduktnummer | DMG6602 | |
Paket/Koffer | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.4A, 2.8A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V | |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive | |
FET-Typ | N and P-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 400pF @ 15V | |
Leistung max | 840mW | |
Andere Namen | DMG6602SVT-7DITR DMG6602SVT7 DMG6602SVT-7DICT DMG6602SVT-7DIDKR |
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