SIZ322DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
NOVA-Teilenummer:
303-2247575-SIZ322DT-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIZ322DT-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 30A (Tc) 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)

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KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 8-Power33 (3x3)
Basisproduktnummer SIZ322
Paket/Koffer8-PowerWDFN
SerieTrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20.1nC @ 10V
FET-FunktionStandard
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 950pF @ 12.5V
Leistung max 16.7W (Tc)
Andere NamenSIZ322DT-T1-GE3DKR
SIZ322DT-T1-GE3CT
SIZ322DT-T1-GE3TR

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