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Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) - Surface Mount Die
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
Hersteller | EPC | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | Die | |
Paket/Koffer | Die | |
Serie | eGaN® | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 23A (Tj) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V | |
FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) | |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 830pF @ 30V | |
Leistung max | - | |
Andere Namen | 917-EPC2102ENGRDKR 917-EPC2102ENGRTR 917-EPC2102ENGRCT |
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