SI4966DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
NOVA-Teilenummer:
303-2254918-SI4966DY-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI4966DY-T1-E3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V - 2W Surface Mount 8-SOIC

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC
Basisproduktnummer SI4966
Paket/Koffer8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V
FET-FunktionLogic Level Gate
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds -
Leistung max 2W
Andere NamenSI4966DY-T1-E3CT
SI4966DYT1E3
SI4966DY-T1-E3DKR
SI4966DY-T1-E3-ND
SI4966DY-T1-E3TR

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