SI4501BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

NOVA-Teilenummer:

303-2251411-SI4501BDY-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI4501BDY-T1-GE3

Standardpaket:

2,500

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Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SOIC
Basisproduktnummer	SI4501
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	12A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	N and P-Channel, Common Drain
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V, 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	805pF @ 15V
Leistung max	4.5W, 3.1W
Andere Namen	SI4501BDY-T1-GE3DKR SI4501BDY-T1-GE3CT SI4501BDY-T1-GE3TR

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