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Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-23
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TSOT-23 | |
Basisproduktnummer | DMG6601 | |
Paket/Koffer | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.8A, 2.5A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.4A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V | |
FET-Funktion | Logic Level Gate | |
FET-Typ | N and P-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 422pF @ 15V | |
Leistung max | 850mW | |
Andere Namen | DMG6601LVT-7DICT DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT-7DIDKR DMG6601LVT7 |
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