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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-SO | |
Basisproduktnummer | ZXMN10 | |
Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.6A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 3.2A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V | |
FET-Funktion | Logic Level Gate | |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 405pF @ 50V | |
Leistung max | 1.25W | |
Andere Namen | ZXMN10A08DN8TACT-NDR ZXMN10A08DN8TACT ZXMN10A08DN8TATR-NDR ZXMN10A08DN8TATR ZXMN10A08DN8TADKR |
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