SI3900DV-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

NOVA-Teilenummer:

303-2250885-SI3900DV-T1-E3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI3900DV-T1-E3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	6-TSOP
Basisproduktnummer	SI3900
Paket/Koffer	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	-
Leistung max	830mW
Andere Namen	SI3900DV-T1-E3TR SI3900DVT1E3 SI3900DV-T1-E3DKR SI3900DV-T1-E3CT

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