SI5902BDC-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

NOVA-Teilenummer:

303-2247550-SI5902BDC-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI5902BDC-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	1206-8 ChipFET™
Basisproduktnummer	SI5902
Paket/Koffer	8-SMD, Flat Lead
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	220pF @ 15V
Leistung max	3.12W
Andere Namen	SI5902BDC-T1-GE3TR SI5902BDC-T1-GE3CT SI5902BDC-T1-GE3DKR SI5902BDCT1GE3

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