SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHAN 60V
NOVA-Teilenummer:
303-2249462-SQS966ENW-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQS966ENW-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8W Dual

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KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 1212-8W Dual
Basisproduktnummer SQS966
Paket/KofferPowerPAK® 1212-8W Dual
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 10V
FET-FunktionStandard
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 572pF @ 25V
Leistung max 27.8W (Tc)
Andere NamenSQS966ENW-T1_GE3CT
SQS966ENW-T1_GE3DKR
SQS966ENW-T1_GE3TR

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