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Mosfet Array 2 Independent 1200V (1.2kV) 475A 1250W Chassis Mount -
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
Hersteller | General Electric | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (Tc) | |
Befestigungsart | Chassis Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | - | |
Paket/Koffer | Module | |
Serie | SiC Power | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 475A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1248nC @ 18V | |
FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) | |
FET-Typ | 2 Independent | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 29.3nF @ 600V | |
Leistung max | 1250W | |
Andere Namen | 4014-GE12047BCA3 |
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