SI1029X-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 60V SC89-6

NOVA-Teilenummer:

303-2250899-SI1029X-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI1029X-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

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Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	SC-89 (SOT-563F)
Basisproduktnummer	SI1029
Paket/Koffer	SOT-563, SOT-666
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.75nC @ 4.5V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	30pF @ 25V
Leistung max	250mW
Andere Namen	SI1029X-T1-GE3TR SI1029X-T1-GE3CT SI1029X-T1-GE3DKR SI1029XT1GE3

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