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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 | |
Basisproduktnummer | DDTB113 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 10 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
Häufigkeit – Übergang | 200 MHz | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500 mA | |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased | |
Leistung max | 200 mW | |
Andere Namen | DDTB113ZC7F DDTB113ZC-FDIDKR DDTB113ZC-FDITR DDTB113ZC-7-F-ND DDTB113ZC-FDICT |
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