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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | VESM | |
Basisproduktnummer | RN1104 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA | |
Paket/Koffer | SOT-723 | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased | |
Leistung max | 150 mW | |
Andere Namen | RN1104MFVL3F(CTDKR RN1104MFV,L3F(CB RN1104MFVL3F(CTCT RN1104MFVL3F(CTTR |
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