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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SOT-323
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Nexperia USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SOT-323 | |
Basisproduktnummer | PDTC123 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA | |
Paket/Koffer | SC-70, SOT-323 | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 1µA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased | |
Leistung max | 200 mW | |
Andere Namen | PDTC123EU T/R-ND 568-11246-6-ND NEXNEXPDTC123EU,115 PDTC123EU T/R 568-11246-2 1727-1706-6 568-11246-1 1727-1706-2 568-11246-6 1727-1706-1 PDTC123EU,115-ND 2156-PDTC123EU,115-NEX 934057538115 568-11246-1-ND 568-11246-2-ND |
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