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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Nexperia USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-236AB | |
Basisproduktnummer | PDTC143 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 10 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 1µA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased | |
Leistung max | 250 mW | |
Andere Namen | 568-11254-6-ND 568-11254-6 PDTC143XT T/R-ND 568-11254-2 PDTC143XT,215-ND 1727-1712-6 934055052215 1727-1712-2 1727-1712-1 PDTC143XT T/R 568-11254-1 568-11254-1-ND 568-11254-2-ND |
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