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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Fairchild Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
Basisproduktnummer | FJN330 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 22 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
Häufigkeit – Übergang | 250 MHz | |
Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased | |
Leistung max | 300 mW | |
Andere Namen | FAIFSCFJN3303RTA 2156-FJN3303RTA |
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