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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | UMT3 | |
Basisproduktnummer | DTA114 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 10 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
Häufigkeit – Übergang | 250 MHz | |
Paket/Koffer | SC-70, SOT-323 | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | - | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased + Diode | |
Leistung max | 200 mW | |
Andere Namen | DTA114EU3T106DKR DTA114EU3T106TR DTA114EU3T106CT |
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