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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 125 mW Surface Mount SSMini3-F1
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Panasonic Electronic Components | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SSMini3-F1 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
Häufigkeit – Übergang | 80 MHz | |
Paket/Koffer | SC-89, SOT-490 | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased | |
Leistung max | 125 mW | |
Andere Namen | UN911NJTR-ND UN911NJCT UNR911NJ0LCT-NDR UNR911NJ0LTR-NDR UNR911NJ0LCT UN911NJTR UNR911NJ0LDKR UNR911NJ0LDKR-NDR UNR911NJ0LTR UN911NJCT-ND UN911NJ-(TX) |
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