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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
Basisproduktnummer | NSVMMUN2235 | |
Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased | |
Leistung max | 246 mW | |
Andere Namen | NSVMMUN2235LT1GOSCT NSVMMUN2235LT1GOSTR NSVMMUN2235LT1GOSDKR 2156-NSVMMUN2235LT1G-OS ONSONSNSVMMUN2235LT1G NSVMMUN2235LT1G-ND |
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