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Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 800 mA - 1 W Through Hole TO-92
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-92 | |
Basisproduktnummer | BCX38 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 10000 @ 500mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 1.25V @ 8mA, 800mA | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 60 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 800 mA | |
Transistortyp | NPN - Darlington | |
Leistung max | 1 W |
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