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Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 1 A - 4 W Through Hole TO-5
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | - | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-5 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | - | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | - | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | - | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 600 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 4 W | |
Andere Namen | 150-2N5097 2N5097-ND |
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