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Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 5 A - 1.2 W Through Hole TO-5
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-5 | |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/455 | |
Paket/Koffer | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 1V @ 5A, 1A | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 200nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 200 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 5 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 1.2 W | |
Andere Namen | 1086-21065 1086-21065-MIL |
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