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Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2.5 A 350MHz 800 mW Through Hole TP
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TP | |
Basisproduktnummer | 2SC6098 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 300 @ 100mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 165mV @ 50mA, 1A | |
Häufigkeit – Übergang | 350MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 80 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 2.5 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 800 mW | |
Andere Namen | ONSONS2SC6098-E 2156-2SC6098-E-ON |
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