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Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Sanken | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-3P | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-3P-3, SC-65-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 5000 @ 7A, 4V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 2.5V @ 7mA, 7A | |
Häufigkeit – Übergang | 55MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100µA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 150 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 10 A | |
Transistortyp | NPN - Darlington | |
Leistung max | 100 W | |
Andere Namen | 2SD2390 DK |
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