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Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(N)
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-3P(N) | |
Basisproduktnummer | 2SA1943 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-3P-3, SC-65-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A | |
Häufigkeit – Übergang | 30MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 5µA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 230 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 15 A | |
Transistortyp | PNP | |
Leistung max | 150 W | |
Andere Namen | 2SA1943N(S1ES) |
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