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Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 4 A - 100 W Through Hole TO-220
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-220 | |
Basisproduktnummer | 2ST501 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-220-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 1.5V @ 2mA, 2A | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100µA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 350 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 4 A | |
Transistortyp | NPN - Darlington | |
Leistung max | 100 W | |
Andere Namen | 2ST501T-ND 497-16232-5 |
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