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Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 150MHz 1 W Through Hole 3-MP
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | 3-MP | |
Basisproduktnummer | 2SD1207 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A | |
Häufigkeit – Übergang | 150MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 2 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 1 W | |
Andere Namen | 2156-2SD1207S-ON ONSONS2SD1207S |
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