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Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 7 A 100MHz 4.2 W Surface Mount TO-252-3
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-252-3 | |
Basisproduktnummer | ZXT849 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 280mV @ 350mA, 7A | |
Häufigkeit – Übergang | 100MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 20nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 30 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 7 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 4.2 W | |
Andere Namen | 1034-ZXT849KDKR ZXT849KCT-NDR 1034-ZXT849KCT ZXT849KTR-NDR 1034-ZXT849KTR ZXT849KTR ZXT849KCT ZXT849KDKR |
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