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Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 1.5 A 100MHz 10 W Through Hole TO-126N
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-126N | |
Basisproduktnummer | TTA004 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-225AA, TO-126-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 140 @ 100mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | |
Häufigkeit – Übergang | 100MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 160 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1.5 A | |
Transistortyp | PNP | |
Leistung max | 10 W | |
Andere Namen | TTA004BQS TTA004BQ(S TTA004B,Q(S TTA004BQ TTA004BQ(S-ND |
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