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Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA - 800 mW Through Hole TO-5
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Harris Corporation | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-5 | |
Basisproduktnummer | 2N18 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | - | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 5V @ 15A, 150A | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 10nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 80 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500 mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 800 mW | |
Andere Namen | HARHAR2N1893 2156-2N1893 |
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