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Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 80MHz 320 mW Surface Mount SOT-23-3
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 | |
Basisproduktnummer | TBC857 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 210 @ 2mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 650mV @ 100mA, 5mA | |
Häufigkeit – Übergang | 80MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 30nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 150 mA | |
Transistortyp | PNP | |
Leistung max | 320 mW | |
Andere Namen | TBC857BLMCT TBC857BLMTR TBC857BLMDKR TBC857B,LM(T TBC857B,LM(B |
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