Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 8 A - 110 W Through Hole TO-220AB
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
Basisproduktnummer | BUT12 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-220-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 14 @ 1A, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 1.5V @ 860mA, 5A | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 1mA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 450 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 8 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 110 W | |
Andere Namen | 934050220127 BUT12AI BUT12AI-ND |
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.