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Bipolar (BJT) Transistor - 115 V 1 A 8MHz 5 W Through Hole TO-5
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | General Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | - | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-5 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 20 @ 200mA, 6V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 600mV @ 20mA, 200mA | |
Häufigkeit – Übergang | 8MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 5µA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 115 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1 A | |
Transistortyp | - | |
Leistung max | 5 W | |
Andere Namen | 2156-2N1054 GSIGSI2N1054 |
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