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Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 1 A 30MHz 300 mW Surface Mount TO-236AB
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | NXP Semiconductors | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-236AB | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 350mV @ 200mA, 1A | |
Häufigkeit – Übergang | 30MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 150 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 300 mW | |
Andere Namen | 2156-PBHV8115T,215-954 |
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