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Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 300 mA 30MHz 150 mW Surface Mount TO-236
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 125°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-236 | |
Basisproduktnummer | 2SC3326 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 200 @ 4mA, 2V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA | |
Häufigkeit – Übergang | 30MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 20 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 300 mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 150 mW | |
Andere Namen | 2SC3326-A(TE85LF)TR-ND 2SC3326-A (TE85L,F) 2SC3326-ALFTR 2SC3326-A,LF(B 2SC3326-A(TE85LF)CT 2SC3326-A(TE85LF)DKR-ND 2SC3326-ATE85LF 2AC3326-A,LF(T 2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326-A,LF(T 2SC3326-A(TE85LF)CT-ND 2SC3326-A(TE85LF)TR 2SC3326-ALFDKR 2SC3326-ALFCT 2SC3326-A(TE85LF)DKR |
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