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Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 150 mA - 150 mW Through Hole TO-5
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | NTE Electronics, Inc | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | - | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-5 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | - | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 200mV @ 1mA, 24mA | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 5µA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 35 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 150 mA | |
Transistortyp | PNP | |
Leistung max | 150 mW | |
Andere Namen | 2368-2N404A |
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