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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 130MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | E-Line (TO-92 compatible) | |
Basisproduktnummer | ZTX853 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | E-Line-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 200mV @ 400mA, 4A | |
Häufigkeit – Übergang | 130MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 100 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 4 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 1.2 W | |
Andere Namen | ZTX853-NDR |
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