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Bipolar (BJT) Transistor - 80 V 10 A 30MHz 15 W Through Hole TO-5
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | General Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | - | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-5 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 50 @ 5A, 2V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 500mV @ 500mA, 5A | |
Häufigkeit – Übergang | 30MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | - | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 80 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 10 A | |
Transistortyp | - | |
Leistung max | 15 W | |
Andere Namen | 2156-2N5552-1 GSIGSI2N5552-1 |
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