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Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1 A 180MHz 830 mW Through Hole TO-92-3
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
Basisproduktnummer | BC63 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | |
Häufigkeit – Übergang | 180MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 45 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 830 mW | |
Andere Namen | 933221920116 BC635 T/R BC635 T/R-ND |
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