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Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A - 75 W Through Hole TO-220AB
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | WeEn Semiconductors | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
Basisproduktnummer | PHD13 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-220-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 10 @ 2A, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 1V @ 1A, 4A | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100µA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 400 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 4 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 75 W | |
Andere Namen | PHD13005,127-ND 568-5752-5-ND 568-5752-5 568-5752 568-5752-ND 934064308127 1740-1196 |
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