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Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 10 W Surface Mount PW-MOLD
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | PW-MOLD | |
Basisproduktnummer | 2SC6076 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 180 @ 500mA, 2V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A | |
Häufigkeit – Übergang | 150MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 80 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 3 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 10 W | |
Andere Namen | 2SC6076(TE16L1NV)-ND 2SC6076(TE16L1NV)TR 2SC6076TE16L1NV 2SC6076(TE16L1NV) 2SC6076 (TE16L1,NV) 2SC6076(TE16L1NV)INACTIVE 2SC6076(TE16L1NV)DKR 2SC6076(TE16L1NV)CT |
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