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Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SMT3; MPAK | |
Basisproduktnummer | 2PD60 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 210 @ 2mA, 10V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
Häufigkeit – Übergang | 100MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 10nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 250 mW | |
Andere Namen | 2PD601AR T/R-ND NEXNXP2PD601AR,115 2156-2PD601AR115 2156-2PD601AR115-NXTR-ND 2PD601AR T/R 2156-2PD601AR,115-ND 934026630115 |
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