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Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 50MHz 2 W Through Hole TO-220
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-220 | |
Basisproduktnummer | D44H11 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-220-3 | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A | |
Häufigkeit – Übergang | 50MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 10µA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 80 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 10 A | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 2 W | |
Andere Namen | D44H11GOS 2156-D44H11G-OS ONSONSD44H11G |
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