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Bipolar (BJT) Transistor - 125 V 1 A 2MHz 20 W Stud Mount TO-111
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | General Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | - | |
Befestigungsart | Stud Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-111 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-111-4, Stud | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 20 @ 500mA, 10V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 6V @ 100mA, 1A | |
Häufigkeit – Übergang | 2MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100µA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 125 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1 A | |
Transistortyp | - | |
Leistung max | 20 W | |
Andere Namen | GSIGSI2N2018 2156-2N2018 |
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