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Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 300 mA 300MHz 630 mW Through Hole TO-92-3
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
Basisproduktnummer | 2N54 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | |
Häufigkeit – Übergang | 300MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 150 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 300 mA | |
Transistortyp | PNP | |
Leistung max | 630 mW | |
Andere Namen | 2N5401P 2N5401P-ND 933275440412 |
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